2003 Mar 25 3
NXP Semiconductors
Product data sheet
Low-leakage double diode BAV170
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC
60134).
Note
1. Device mounted on a FR4 printed-circuit board.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj
=
25
°C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
Per diode
VRRM
repetitive peak reverse voltage
?
85
V
VR
continuous reverse voltage
?
75
V
IF
continuous forward current
single diode loaded; note
1;
see
Fig.2
?
215
mA
double diode loaded; note
1;
see
Fig.2
?
125
mA
IFRM
repetitive peak forward current
?
500
mA
IFSM
non-repetitive peak forward current
square wave; Tj
=
25
°C prior to
surge; see
Fig.4
tp
=
1
μs
?
4
A
tp
=
1
ms
?
1
A
tp
=
1
s
?
0.5
A
Ptot
total power dissipation
Tamb
=
25
°C; note
1
?
250
mW
Tstg
storage temperature
?65
+150
°C
Tj
junction temperature
?
150
°C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP.
MAX.
UNIT
Per diode
VF
forward voltage
see
Fig.3
IF
=
1
mA
?
900
mV
IF
=
10
mA
?
1000
mV
IF
=
50
mA
?
1100
mV
IF
=
150
mA
?
1250
mV
IR
reverse current
see
Fig.5
VR
=
75
V
0.003
5
nA
VR
=
75
V; Tj
=
150
°C
3
80
nA
Cd
diode capacitance
f
=
1
MHz; VR
=
0; see
Fig.6
2
?
pF
trr
reverse recovery time
when switched from IF
=
10
mA to
IR
=
10
mA; RL
=
100
?; measured at
IR
=
1
mA; see
Fig.7
0.8
3
μs
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